編號(hào)：NMJS03080
篇名：表面粗糙化來(lái)提高SiO_2中納米硅的拉曼強(qiáng)度
作者：張有為； 畢大煒； 公祥南； 邊惠； 萬(wàn)里； 唐東升；
關(guān)鍵詞：納米硅； 拉曼散射； 聲子限制；
機(jī)構(gòu)： 浙江溫州大學(xué)物理與電子信息工程學(xué)院； 信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所)； 低維量子結(jié)構(gòu)與調(diào)控教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(湖南師范大學(xué))；
摘要： 本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下觀察到SiO2中注入硅離子形成納米硅的拉曼散射特征峰.運(yùn)用聲子限制模型對(duì)納米硅的特征峰進(jìn)行曲線擬合,得到納米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.這個(gè)結(jié)果與透射電子顯微鏡直接觀測(cè)的納米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一個(gè)非常有效的方法來(lái)提高拉曼散射強(qiáng)度,從而方便地研究納米硅的拉曼特征,不會(huì)對(duì)納米硅的物理性質(zhì)發(fā)生影響.
