編號：NMJS03054
篇名：熱蒸發(fā)SiO大量合成硅納米線及其可控p型摻雜
作者：馬淵明； 謝超； 江鵬； 于永強； 王莉； 揭建勝；
關(guān)鍵詞：硅納米線； 熱蒸發(fā)； p型摻雜； 電學(xué)特性；
機構(gòu)： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院；
摘要： 文章采用化學(xué)氣相沉積法,以一氧化硅粉末為硅源,于1 350℃進行高溫?zé)嵴舭l(fā),成功合成了大量單晶硅納米線;并利用X-射線衍射、場發(fā)射掃描電子顯微鏡以及透射電子顯微鏡等手段對產(chǎn)物的形貌和微結(jié)構(gòu)進行了系統(tǒng)表征。硅納米線具有良好的結(jié)晶質(zhì)量,直徑在20～80 nm之間,長度為數(shù)十微米至數(shù)百微米,其外層通常為一層非晶硅氧化層所包裹。通過利用硼膠在高溫下的擴散摻雜,進一步實現(xiàn)了硅納米線的可控p型摻雜。針對單根硅納米線器件的測量表明,硅納米線的電導(dǎo)率可以從本征時的約10-7S/cm大幅提高到摻雜后的0.2 S/cm以上,且摻雜濃度可由擴散溫度控制。此擴散摻雜方法簡單有效,克服了氧化物輔助法生長硅納米線電輸運性質(zhì)不易控制的難題,獲得的p型硅納米線有望應(yīng)用于高性能硅納米器件的研究。
