編號(hào)：NMJS02882
篇名：TiO2/ZnO納米薄膜界面熱導(dǎo)率的分子動(dòng)力學(xué)模擬
作者：楊平； 吳勇勝； 許海鋒； 許鮮欣； 張立強(qiáng)； 李培；
關(guān)鍵詞：熱導(dǎo)率； 分子動(dòng)力學(xué)； TiO2/ZnO納米薄膜界面； 數(shù)值模擬；
機(jī)構(gòu)： 江蘇大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院；
摘要： 采用平衡分子動(dòng)力學(xué)方法及Buckingham勢(shì)研究了金紅石型TiO2薄膜與閃鋅礦型ZnO薄膜構(gòu)筑的納米薄膜界面沿晶面[0001](z軸方向)的熱導(dǎo)率.通過(guò)優(yōu)化分子模擬初始條件中的截?cái)喟霃絩c和時(shí)間步后,計(jì)算并分析了平衡溫度、薄膜厚度、薄膜截面大小對(duì)熱導(dǎo)率的影響.研究表明,薄膜熱導(dǎo)率受薄膜溫度和厚度的影響很大,當(dāng)溫度由300K升高600K時(shí),薄膜的熱導(dǎo)率逐漸減小;當(dāng)薄膜厚度由1.8nm增大到5nm時(shí),熱導(dǎo)率會(huì)逐漸增大;并在此基礎(chǔ)上對(duì)更大厚度范圍內(nèi)TiO2/ZnO界面熱導(dǎo)率可能變化性態(tài)進(jìn)行了探討.
