編號(hào)：NMJS02876
篇名：化學(xué)鍍鎳層對(duì)直接生長(zhǎng)碳納米管薄膜強(qiáng)流脈沖發(fā)射穩(wěn)定性的影響
作者：曾凡光； 李昕； 劉衛(wèi)華； 喬淑珍； 麻華麗； 張銳； 夏連勝； 諶怡； 劉星光； 張?bào)颍?
關(guān)鍵詞：碳納米管； 鎳膜； 強(qiáng)流脈沖發(fā)射； 提高穩(wěn)定性； 歸一化電流；
機(jī)構(gòu)： 鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院數(shù)理系； 西安交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院； 中國(guó)工程物理研究院流體物理研究所；
摘要： 采用酞菁鐵高溫?zé)峤夥椒ǚ謩e在鍍鎳和不鍍鎳硅基底上生長(zhǎng)了碳納米管(carbon nanotube,CNT)薄膜.鎳鍍層采用化學(xué)鍍方法制備.為了研究有鎳層和無(wú)鎳層CNT(Si-CNT和Ni-CNT)薄膜陰極的強(qiáng)流脈沖發(fā)射穩(wěn)定性,在相同的主Marx電壓下采用二極結(jié)構(gòu)對(duì)2種陰極進(jìn)行重復(fù)發(fā)射實(shí)驗(yàn).當(dāng)峰值脈沖電壓在1.62～1.66MV(對(duì)應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)為11.57～11.85V/μm)時(shí),Si-CNT和Ni-CNT陰極首次發(fā)射的電流峰值分別為109.4和180.5A.通過比較2種陰極的歸一化電流,可明顯發(fā)現(xiàn)2種陰極發(fā)射穩(wěn)定性的差異.Si-CNT和Ni-CNT的峰值發(fā)射電流由100%衰減到50%所經(jīng)歷的發(fā)射次數(shù)分別約為3和11次.
