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        電泳沉積制備平行柵碳納米管場發(fā)射陰極的研究

        編號:NMJS02787

        篇名:電泳沉積制備平行柵碳納米管場發(fā)射陰極的研究

        作者:張永愛; 林金陽; 吳朝興; 鄭泳; 林志賢; 郭太良;

        關(guān)鍵詞:碳納米管; 平行柵; 場發(fā)射; 電泳; 絲網(wǎng)印刷;

        機(jī)構(gòu): 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;

        摘要: 利用磁控濺射、光刻、濕法刻蝕和電泳技術(shù)在玻璃基片上成功制備平行柵場發(fā)射陰極陣列,用光學(xué)顯微鏡、場發(fā)射掃描電鏡和拉曼光譜觀察了碳納米管的形貌和結(jié)構(gòu),并測試所制備的平行柵碳納米管陰極的場發(fā)射性能。光學(xué)顯微鏡和場發(fā)射電子顯微鏡測試表明,平行柵結(jié)構(gòu)陰極和柵極交替地分布,同一個(gè)平面內(nèi),CNTs有選擇性地沉積在平行柵結(jié)構(gòu)中的陰極表面。場發(fā)射測試表明,平行柵CNTs場發(fā)射陰極的開啟電壓為155V,發(fā)射電流高達(dá)268μA,場發(fā)射特性完全由柵壓控制;此外,其場發(fā)射特性與絲網(wǎng)印刷工藝制備的陰極有相似甚至更佳的性能,開啟電壓更低,發(fā)光均勻性更好,具有更好的發(fā)射特性。

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