編號：NMJS02678
篇名：基于硅納米晶的非揮發(fā)存儲器制備與存儲特性
作者：楊瀟楠； 王永； 張滿紅； 張博； 劉明；
關(guān)鍵詞：硅納米晶； 非揮發(fā)存儲器； 存儲特性； 耐受性； 數(shù)據(jù)保持；
機構(gòu)： 中國科學(xué)院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)實驗室； 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司；
摘要： 硅納米晶非揮發(fā)存儲器由于其卓越的性能以及與傳統(tǒng)工藝的高度兼容性,近來引起高度關(guān)注。采用兩步低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)生長方式制備硅納米晶(Si-NC),該方法所制備的硅納米晶具有密度高、可控性好的特點,且完全兼容于傳統(tǒng)CMOS工藝。在此基礎(chǔ)上制作四端硅納米晶非揮發(fā)存儲器,該器件展示出良好的存儲特性,包括10 V操作電壓下快速地擦寫,數(shù)據(jù)保持特性的顯著提高,以及在105次擦寫周期以后閾值電壓(Vt)飄移低于10%的良好耐受性。該器件在未來高性能非揮發(fā)存儲器應(yīng)用上極具潛質(zhì)。
