編號：NMJS02663
篇名：納米VO_x薄膜在空氣中的電學特性退化研究
作者：羅振飛； 吳志明； 許向東； 王濤； 蔣亞東；
關鍵詞：納米VOx薄膜； 磁控濺射； 電學特性； 退化；
機構： 電子科技大學光電信息學院電子薄膜與集成器件國家重點實驗室；
摘要： 采用射頻磁控濺射法在氮化硅襯底上沉積納米VOx薄膜,利用X射線衍射、原子力顯微鏡分別對薄膜的結晶形態(tài)及表面形貌進行表征.研究了納米VOx薄膜在空氣中長時間暴露后的方塊電阻、熱滯回線等電學特性的變化情況,并分析這些變化給器件帶來的影響.利用X射線光電子能譜儀、傅里葉變換紅外光譜儀分析對比新制與久置薄膜的組分及分子結構差異.研究表明,暴露在空氣中的納米VOx薄膜方塊電阻增大是因為低價釩離子被吸附氧原子氧化成5價釩的緣故,熱滯回線形狀發(fā)生變化的原因是由于薄膜原子與吸附原子、官能團成鍵后影響了納米VOx薄膜的分子結構.
