編號：NMJS02655
篇名：強磁場條件制備ZnO納米線研究
作者：申彩霞； 李梅； 劉偉；
關鍵詞：ZnO； 納米線； 強磁場；
機構： 清華大學；
摘要： 采用真空蒸鍍方法制備金屬Zn膜,在不同磁場強度(0T-8T)條件下高溫氧化金屬Zn膜生長了ZnO納米線,用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察了樣品的表面形貌,用X射線衍射方法(XRD)研究了樣品的晶體結構,分析表明磁場對ZnO納米線的形貌有影響。用室溫光致發(fā)光譜(PL)研究了ZnO納米線的光譜性質(zhì),結果表明ZnO納米線的綠光發(fā)射與制備樣品時磁場強度相關。論文研究表明在磁場條件下制備的ZnO納米線,其形貌和發(fā)光性質(zhì)都受到制備條件的影響。
