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        銦摻雜ZnGa_2O_4納米線中的結(jié)構(gòu)缺陷分析(英文)

        編號(hào):NMJS02636

        篇名:銦摻雜ZnGa_2O_4納米線中的結(jié)構(gòu)缺陷分析(英文)

        作者:張偉光; 榮憲偉;

        關(guān)鍵詞:納米結(jié)構(gòu); 半導(dǎo)體; 缺陷;

        機(jī)構(gòu): 哈爾濱師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院黑龍江省低維體系與介觀物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

        摘要: 用熱蒸發(fā)的方法合成了銦摻雜的ZnGa2O4納米線。利用透射電鏡和X射線能譜對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和成分進(jìn)行了研究。在"之"字形和竹節(jié)形兩種形貌的納米線中分別發(fā)現(xiàn)了孿晶和面位錯(cuò)兩種缺陷。"之"字形生長(zhǎng)的納米折線是孿晶,沿<11-1>方向生長(zhǎng),孿晶角為140°。竹節(jié)形的納米線沿<011->方向生長(zhǎng),竹節(jié)處存在兩種面位錯(cuò),面位錯(cuò)與生長(zhǎng)方向分別成54°和90°角。缺陷的存在對(duì)納米線的性質(zhì)將產(chǎn)生重要影響。

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