編號：NMJS02633
篇名：ZnO/Zn_2SnO_4納米電纜結構表征與發(fā)光特性
作者：周茹莉； 孔向陽；
關鍵詞：ZnO/Zn2SnO4； 納米電纜； 合成； 發(fā)光特性；
機構： 上海交通大學材料科學與工程學院汽車動力電池材料研究所；
摘要： ZnO、Zn2SnO4均為直接帶隙寬禁帶氧化物半導體,是優(yōu)異的功能材料.以ZnO、SnO2為原料,通過共熱蒸發(fā)法,合成了ZnO/Zn2SnO4納米電纜結構.該納米電纜結構為以ZnO為芯,Zn2SnO4為鞘,直徑為50~100nm,長度可達上百微米.通過TEM分析手段,發(fā)現(xiàn)該納米電纜結構中,ZnO的生長方向為<0001>方向,ZnO芯與Zn2SnO4鞘之間形成晶格外延關系.室溫下光致發(fā)光譜結果顯示,該納米電纜結構在紫外區(qū)域(380.58nm附近處)存在很強的帶邊發(fā)光,而在可見光區(qū)域沒有明顯的發(fā)光帶,這一結果表明:Zn2SnO4鞘層的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷發(fā)光.ZnO/Zn2SnO4納米電纜結構可以抑制電子-空穴的復合,在染料敏化太陽能電池等方面有一定的應用潛力.
