編號：NMJS02612
篇名：碳納米管場效應管尺寸縮小特性的比較
作者：周海亮； 趙天磊； 張民選； 郝躍；
關鍵詞：碳納米管場效應管； 尺寸縮小特性； 帶間隧穿； 非平衡格林函數(shù)； 量子電容；
機構： 國防科技大學計算機學院； 西安電子科技大學微電子學院；
摘要： 由于具有更為顯著的量子隧穿效應,碳納米管場效應管具有較硅基MOS管不同的尺寸縮小特性,同時,由于工作機理的不同,類MOS碳納米管場效應管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸縮小特性與隧穿碳納米管場效應管(T-CNFETs)也不盡相同。器件尺寸縮小特性研究是研究其應用前景的重要方式,而之前對碳納米管場效應管尺寸縮小特性的研究并沒考慮帶間隧穿對碳納米管場效應管尺寸縮小特性的影響。采用非平衡格林函數(shù)方法,對比研究了帶間隧穿對C-CNFETs與T-CNFETs尺寸縮小特性的影響。研究結果表明兩者存在較大差異、甚至截然相反的尺寸縮小特性。有利于為碳納米管場效應管器件設計提供重要指導,以獲取面積、速度、功耗之間的合理折中。
