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        β-SiC納米線對MC3T3-E1細胞毒性及超微結構的影響

        編號:NMJS02590

        篇名:β-SiC納米線對MC3T3-E1細胞毒性及超微結構的影響

        作者:金美善; 謝偉麗; 溫廣武; 王子初; 張曉東;

        關鍵詞:β-SiC納米線; 超微結構; 細胞毒性;

        機構: 哈爾濱醫(yī)科大學口腔醫(yī)學院; 哈爾濱工業(yè)大學材料學院;

        摘要: 目的觀察β-SiC納米線對MC3T3-E1細胞(前成骨細胞)超微結構的影響及毒性作用。方法通過掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡及電子衍射技術對β-SiC納米線進行表征,采用WST-8法檢測β-SiC納米線對細胞活性的影響,利用透射電子顯微鏡觀察β-SiC納米線在細胞內分布情況及其引起的細胞內超微結構變化。結果隨β-SiC納米線濃度增加及染毒時間延長,MC3T3-E1細胞存活率呈下降趨勢。β-SiC納米線可通過胞吞作用進入胞漿和胞核,引發(fā)細胞內多量空泡形成。與此同時,胞內溶酶體被破壞、內質網腫脹、線粒體結構紊亂。結論β-SiC納米線可影響MC3T3-E1細胞的超微結構并抑制細胞生長。

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