編號：NMJS02553
篇名：ZnO納米線/納米棒混合陣列的制備及其光致發(fā)光性能研究
作者：栗粟； 章曉中；
關鍵詞：ZnO納米線； 納米棒； 熱蒸發(fā)法； 光致發(fā)光；
機構： 清華大學材料科學與工程系先進材料教育部重點實驗室北京電子顯微鏡中心；
摘要： 使用無催化劑熱蒸發(fā)法,在ZnO/Si薄膜襯底上制備了ZnO納米線/納米棒混合陣列。其中,納米線的直徑為10~20 nm,納米棒的直徑為60~160 nm,二者混合在一起垂直生長于襯底表面。從襯底的上游到下游位置,混合陣列中納米線的含量逐漸下降,納米棒逐漸增多。室溫光致發(fā)光測試發(fā)現(xiàn)尺寸較小的納米線陣列的紫外光發(fā)光強度比大尺寸納米棒陣列高約5倍。持續(xù)激發(fā)光照射下,納米線陣列的發(fā)光強度逐漸上升,停止光照后又逐漸下降到初始值,這可以用納米線表面O2分子的解吸附和吸附過程來理解。
