編號：FTJS02689
篇名：白光LED用ZnMoO4∶Tb3+,K+發(fā)光材料的制備及發(fā)光特性
作者：邱桂明； 許成科； 楊英權；
關鍵詞：高溫固相法； ZnMoO4∶Tb3+； 電荷補償劑；
機構： 汕頭大學理學院物理系；
摘要： 采用高溫固相法合成了Zn0.85Tb0.15MoO4綠色熒光粉,利用XRD和熒光光譜儀對樣品進行了測試表征。XRD測試結果表明,在800°C溫度下燒結能形成ZnMoO4純相。激發(fā)光譜由MoO42-的電荷遷移寬帶(CT)和Tb3+離子特征激發(fā)峰組成;研究發(fā)現(xiàn),摻雜了K+離子后電荷遷移帶峰位位置向短波方向移動;分析了堿土金屬離子K+作為電荷補償劑對樣品發(fā)光性能的影響,發(fā)現(xiàn)加入電荷補償劑可大大提高樣品的發(fā)光強度。該熒光粉的發(fā)射光譜光由位于487 nm,543 nm,584 nm,620 nm處的四組發(fā)射峰組成,分別對應Tb3+的5D4-7F6(487 nm),5D4-7F5(543 nm),5D4-7F4(584 nm)和5D4-7F3(620 nm)能級躍遷,而5D4-7F5(543 nm)的躍遷發(fā)射最強。
