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        Zr摻雜對MgB2超導(dǎo)微觀結(jié)構(gòu)和超導(dǎo)電性的影響

        編號(hào):CPJS01192

        篇名:Zr摻雜對MgB2超導(dǎo)微觀結(jié)構(gòu)和超導(dǎo)電性的影響

        作者:張安民;

        關(guān)鍵詞:MgB2超導(dǎo)體; 顯微結(jié)構(gòu); Zr摻雜; 臨界電流密度;

        機(jī)構(gòu): 宿遷學(xué)院材料科學(xué)與工程系;

        摘要: 將Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合獲得Mg1-xZrxB2(x=5%、10%和20%),壓制成型后,在流通氬氣的條件下于800℃燒結(jié)2h.利用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)分析燒結(jié)后樣品的顯微結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成,采用差熱分析(DTA)觀察Zr摻雜對MgB2分解溫度的影響,并用物性測試儀(PPMS)測試樣品的超導(dǎo)電性.結(jié)果表明,適量的Zr摻雜使得MgB2的平均晶粒尺寸變小,晶界面積增加和晶粒連接性改善,獲得致密性較高的MgB2超導(dǎo)體,其臨界電流密度比較大.

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