編號(hào)：CPJS01120
篇名：電化學(xué)誘導(dǎo)法制備二氧化硅薄膜材料
作者：陳勇； 劉善堂；
關(guān)鍵詞：電化學(xué)誘導(dǎo)； 二氧化硅薄膜； 溶膠-凝膠；
機(jī)構(gòu)： 武漢工程大學(xué)化工與制藥學(xué)院綠色化工過(guò)程省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室湖北省新型反應(yīng)器與綠色化學(xué)工藝重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 通過(guò)電化學(xué)誘導(dǎo)的溶膠-凝膠過(guò)程,以四甲氧基硅烷(TMOS)作為硅源,在氧化銦錫(ITO)電極表面制備了二氧化硅(SiO2)薄膜.使用掃描電鏡(SEM)、紫外可見(jiàn)光譜(UV)和循環(huán)伏安法(CV)分別對(duì)薄膜的表面形貌、光吸收特性和導(dǎo)電性能進(jìn)行了表征.結(jié)果表明:所施加的電壓顯著地影響SiO2薄膜的在固體表面上的生長(zhǎng).SEM圖顯示出在薄膜表面上沒(méi)有明顯的介孔結(jié)構(gòu).薄膜的紫外可見(jiàn)光譜在波長(zhǎng)為430 nm處出現(xiàn)了SiO2分子的本征吸收峰,表明這固體表面上的材料主要是由SiO2構(gòu)成的.循環(huán)伏安曲線證明該薄膜材料具有很高的電阻.這種電沉積的SiO2薄膜材料有望應(yīng)用于分解有機(jī)污染物等領(lǐng)域.
