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        離子注鑭對鎳氧化膜生長及其膜內應力的影響

        編號:FTJS02558

        篇名:離子注鑭對鎳氧化膜生長及其膜內應力的影響

        作者:陳計濤; 靳惠明; 龔海華; 高吉成; 張驥群; 李露;

        關鍵詞:鎳; 氧化膜; 離子注入; 次級離子質譜; 拉曼光譜; 稀土元素; 應力;

        機構: 揚州大學機械工程學院;

        摘要: 對純鎳及其表面離子注鑭樣品在900℃空氣中的恒溫氧化規(guī)律進行研究.用掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)對NiO膜的微觀形貌和結構進行測試.用激光拉曼(Raman)光譜儀和X射線衍射儀(XRD)對2種樣品表面氧化膜的應力狀態(tài)進行測量.用次級離子質譜儀(SIMS)對氧化膜內元素Ni、O和La的深度分布情況進行測量.結果表明:離子注鑭顯著降低了鎳的恒溫氧化速率,細化了表面NiO膜的晶粒尺寸;同時將氧化膜的生長由注鑭前Ni2+陽離子的向外擴散轉變?yōu)樽㈣|后O2-陰離子的向內擴散為主.X射線衍射和激光拉曼光譜測量均反映出注鑭引起的膜內應力降低效應,并且結合氧化膜內應力深度分布的不均勻性及膜生長過程中存在的稀土元素效應,對2種應力測量結果之間存在的偏差進行了細致分析.

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