編號(hào)：FTJS02556
篇名：制備工藝對(duì)摻銪ATO納米粉體性能的影響
作者：樊兆寶； 黃秀揚(yáng)； 劉大川； 張盛強(qiáng)；
關(guān)鍵詞：共沉淀法； 摻雜Eu； ATO； 納米粉體； 制備工藝；
機(jī)構(gòu)： 梅嶺化工廠研究所； 蘭州理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 采用化學(xué)共沉淀法制備了摻雜稀土銪的ATO納米粉體。運(yùn)用X射線衍射(XRD)測(cè)試方法對(duì)ATO粉體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,研究了滴定終點(diǎn)pH值、反應(yīng)溫度和熱處理溫度對(duì)粉體晶型結(jié)構(gòu)、粒徑和導(dǎo)電性能的影響,發(fā)現(xiàn)pH值為9、反應(yīng)溫度為60℃、600~700℃熱處理溫度下得到粉體的性能最佳。此溫度下制備的ATO粉體的晶型結(jié)構(gòu)較完整,粉體的電阻率為280Ω.cm,顆粒尺寸為33~34 nm。
