編號：CPJS01017
篇名：GDARE法制備不同厚度ZnO薄膜的熱電性質(zhì)
作者：孫海濤； 李成武； 陸慧； 方彬； 林賢； 王艷南； 潘孝仁；
關(guān)鍵詞：氧化鋅薄膜； 結(jié)構(gòu)； 溫差電動勢率； 電阻率；
機(jī)構(gòu)： 華東理工大學(xué)物理系； 華東理工大學(xué)核物理研究所； 華東理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 以氣體放電活化反應(yīng)蒸發(fā)(GDARE)沉積法通過多次沉積制備不同厚度ZnO薄膜。原子力顯微鏡和X射線衍射測試分析表明,所得ZnO薄膜具有納米顆粒多晶結(jié)構(gòu),粒徑在30~70 nm,晶粒尺寸隨薄膜厚度增加而增大,不同厚度的薄膜均具有高度的c軸取向性。由GDARE法沉積的ZnO薄膜具有較高的溫差電動勢率S(Seebeck系數(shù)),厚度200 nm的薄膜在440K附近S可達(dá)600μV/K。相同溫度下,薄膜的溫差電動勢率S與電阻率ρ均隨著膜厚的增加而減小。在考察了薄膜電阻率與溫差電動勢率的綜合影響后,得到在440 K附近,厚度為600 nm的ZnO薄膜具有相對最優(yōu)秀的熱電性能。討論了ZnO薄膜的表面電傳導(dǎo)過程及溫差電動勢產(chǎn)生機(jī)制。
