編號(hào)：NMJS02401
篇名：沉積時(shí)間對Au/Si-NPA電學(xué)特性的影響
作者：富笑男； 程莉娜； 羅艷偉； 劉琨； 王信春；
關(guān)鍵詞：硅納米孔柱陣列(Si-NPA)； I-V曲線； Au/Si-NPA； 整流特性；
機(jī)構(gòu)： 河南工業(yè)大學(xué)理學(xué)院； 河南大學(xué)特種功能材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用浸漬法在硅納米孔柱陣列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)襯底上制得了一系列金/硅納米孔柱陣列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉積時(shí)間不同。通過測試分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲線,研究了沉積時(shí)間對Au/Si-NPA電學(xué)特性的影響。結(jié)果表明:在沉積時(shí)間小于30 min時(shí),Au/Si-NPA的正向電流隨沉積時(shí)間的延長而減小;而當(dāng)沉積時(shí)間超過30 min時(shí),Au/Si-NPA的正向電流隨沉積時(shí)間的延長而增大。這種電學(xué)特性變化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出現(xiàn)變化引起的。
