編號：NMJS02390
篇名：直流熱陰極PCVD法間歇生長模式間歇周期的研究
作者：陳玉強(qiáng)； 姜宏偉； 彭鴻雁； 尹龍承；
關(guān)鍵詞：人工干預(yù)二次形核； 納米金剛石膜； 直流熱陰極PCVD； 間歇生長；
機(jī)構(gòu)： 牡丹江師范學(xué)院新型碳基功能與超硬材料省重點實驗室；
摘要： 采用直流熱陰極PCVD方法間歇生長模式,在CH4-H2氣氛常規(guī)制備微米晶金剛石膜的參數(shù)條件下,利用人工干預(yù)二次形核工藝,研究了間歇周期變化對制備納米晶金剛石膜的影響。人工干預(yù)二次形核是指通過生長溫度的周期性改變而誘發(fā)二次形核行為,從而實現(xiàn)金剛石膜的納米晶生長。金剛石膜周期性生長過程分為沉積階段和干預(yù)階段,沉積階段主要完成金剛石膜的生長,干預(yù)階段將沉積溫度降低到600℃,然后恢復(fù)到生長溫度,即完成一個生長周期。間歇周期研究主要是考察在不同間歇時間里人工干預(yù)誘導(dǎo)二次形核的效果,間歇時間設(shè)定為1 min、5 min、10 min、15 min、20 min,生長時間設(shè)為20 min,總的沉積時間為6 h。采用拉曼光譜儀、SEM和XRD對樣品進(jìn)行了分析,結(jié)果表明直流熱陰極PCVD方法間歇生長模式,間歇周期的變化,對二次形核的發(fā)生有誘導(dǎo)作用,適當(dāng)選擇間歇周期,有利于二次形核基團(tuán)的生成。
