編號：NMJS02217
篇名：同軸三層納米電纜NiO@SiO_2@TiO_2的制備與表征
作者：宋超； 董相廷； 王進賢； 劉桂霞；
關(guān)鍵詞：NiO@SiO2@TiO2； 同軸三層納米電纜； 靜電紡絲技術(shù)；
機構(gòu)： 長春理工大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院；
摘要： 采用靜電紡絲技術(shù),通過改進實驗裝置,成功地制備出了NiO@SiO2@TiO2同軸三層納米電纜.采用差熱-熱重(TG-DTA)分析、X射線衍射(XRD)分析、傅立葉變換紅外光譜(FTIR)分析、掃描電子顯微鏡(SEM)分析和透射電子顯微鏡(TEM)等分析技術(shù)對樣品進行表征,結(jié)果表明,所得產(chǎn)物為NiO@SiO2@TiO2同軸三層納米電纜,內(nèi)層為NiO,直徑大約為40～50 nm;中間層為SiO2,厚度大約為40～45 nm;外層為TiO2,厚度大約為45～50 nm.對NiO@SiO2@TiO2同軸三層納米電纜的形成機理進行了討論.
