編號：NMJS01941
篇名：鐵磁金屬薄膜納米點(diǎn)連接的各向異性磁電阻
作者：程浩； 楊維； 劉鴻； 汪令江； 鄭勇林；
關(guān)鍵詞：真空薄膜； 鐵磁納米點(diǎn)連接； 各向異性磁電阻； 彈道磁電阻；
機(jī)構(gòu)： 成都大學(xué)電子信息工程學(xué)院；
摘要： 首次運(yùn)用電子束光刻技術(shù)和真空沉積技術(shù)在硅片表面制備了寬度在20納米Ni80Fe20薄膜鐵磁金屬納米點(diǎn)連接,通過對鐵磁金屬薄膜納米點(diǎn)連接樣品在不同溫度下的磁電阻和I~V的研究,得出寬度在20納米的鐵磁金屬薄膜納米點(diǎn)連接中所觀察到的磁電阻現(xiàn)象是各向異性磁電阻,其導(dǎo)電行為主要是金屬導(dǎo)體導(dǎo)電行為,受量子化電導(dǎo)作用較小;通過對寬度在20納米至250納米之間的不同寬度的納米點(diǎn)連接的磁電阻的測量,發(fā)現(xiàn)納米點(diǎn)連接的磁電阻比例以及電阻值均與納米點(diǎn)連接的寬度沒有必然關(guān)系;實驗結(jié)果表明在20納米寬的鐵磁金屬薄膜點(diǎn)連接樣品中可能不存在鐵磁金屬納米點(diǎn)接觸樣品中所觀察到高比例的彈道磁電阻現(xiàn)象,其磁電阻行為仍然是在鐵磁金屬體材料中常見的各向異性磁電阻現(xiàn)象,受尺寸效應(yīng)的影響較小.
