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        CdSe四腳狀納米晶粒的光熒光研究

        編號:NMJS01861

        篇名:CdSe四腳狀納米晶粒的光熒光研究

        作者:趙莉娟; 陸愛江; 龐起; 葛惟昆; 王建農(nóng);

        關(guān)鍵詞:四腳狀納米晶粒; 變功率光熒光(PL); 變溫光熒光(PL); 表面缺陷; 局域化; 高產(chǎn)率;

        機(jī)構(gòu): 東華大學(xué)應(yīng)用物理系; 香港科技大學(xué)物理系; 玉林師范學(xué)院化學(xué)與材料學(xué)院;

        摘要: 采用高溫微乳液的化學(xué)方法,在溶液中合成了高產(chǎn)率的CdSe四腳狀納米晶粒。高分辨透射電鏡(HRTEM)分析結(jié)果表明,CdSe四腳狀納米晶粒是由1個立方的核心和4個六方的臂所組成。研究了該四腳晶粒的變激發(fā)功率光熒光(PL)譜和變溫的PL譜,分析發(fā)現(xiàn)低溫時四腳晶粒的光熒光主要來自于被表面缺陷所局域的激子的輻射復(fù)合,而隨著溫度升高,束縛激子被熱激發(fā),室溫時光熒光主要來自于自由激子的貢獻(xiàn)。CdSe納米量子點(diǎn)的退局域化溫度比四腳納米晶粒的高,而12K時CdSe納米量子點(diǎn)的局域化能量比四腳納米晶粒的也大得多,并對這一現(xiàn)象作了解釋。

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