編號：FTJS02409
篇名：石墨烯/殼聚糖修飾玻碳電極測定水樣中痕量銅離子
作者：方艷紅； 連慧婷； 陳國華；
關鍵詞：石墨烯； 殼聚糖； 陽極溶出伏安法； Cu2+；
機構： 華僑大學材料科學與工程學院；
摘要： 采用控制電位電解法,在玻碳電極(GCE)上進行石墨烯(GN)/殼聚糖(CS)修飾膜的電沉積,將制得的膜修飾電極GN/CS/GCE在0.1 mol.L-1的HAc-NaAc電解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)電位下富集Cu2+,并用差分脈沖溶出伏安法測定.結果表明,該膜修飾電極對Cu2+的富集作用明顯強于裸GCE及CS/GCE.在優(yōu)化實驗條件下,Cu2+的濃度在1.0～80.0μmol.L-1范圍內與陽極溶出峰電流呈線性關系,相關系數(shù)為0.999 6,檢出限為12.66 nmol.L-1,所制得的修飾電極具有較高的靈敏度和選擇性.
