編號：FTJS02361
篇名：化學(xué)氣相沉積法制備Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)陣列
作者：彭躍華； 周海青； 劉湘衡； 何熊武； 趙��； 海闊； 周偉昌； 袁華軍； 唐東升；
關(guān)鍵詞：一維納米結(jié)構(gòu)； 陣列； 化學(xué)氣相沉積法； 三硫化二錫； 氣-固生長機(jī)理；
機(jī)構(gòu)： 湖南師范大學(xué)低維量子結(jié)構(gòu)與調(diào)控教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室物理與信息科學(xué)學(xué)院；
摘要： 運(yùn)用化學(xué)氣相沉積法(CVD),直接以Sn和S為原料分區(qū)加熱蒸發(fā),通過控制溫度分布、氣壓、載氣流量和金屬鉛納米顆粒分布等宏觀實(shí)驗(yàn)條件,成功制備大面積Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)陣列.掃描電子顯微鏡(SEM)圖片顯示:Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)的橫向尺度在100nm左右,長約幾個(gè)微米.X射線衍射(XRD)譜顯示:所制備樣品的晶體結(jié)構(gòu)屬于正交晶系,沿[002]方向生長.紫外-可見漫反射譜表明Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)是帶隙為2.0eV的直接帶隙半導(dǎo)體.討論了溫度分布和金屬鉛納米顆粒對Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)生長的影響,并指出其生長可能遵循氣-固(V-S)生長機(jī)理.
