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        制備工藝對摻銪ATO納米粉體性能的影響

        編號:CPJS00965

        篇名:制備工藝對摻銪ATO納米粉體性能的影響

        作者:樊兆寶; 黃秀揚; 劉大川; 張盛強;

        關(guān)鍵詞:共沉淀法; 摻雜Eu; ATO; 納米粉體; 制備工藝;

        機構(gòu): 梅嶺化工廠研究所; 蘭州理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;

        摘要: 采用化學(xué)共沉淀法制備了摻雜稀土銪的ATO納米粉體。運用X射線衍射(XRD)測試方法對ATO粉體的結(jié)構(gòu)進行表征,研究了滴定終點pH值、反應(yīng)溫度和熱處理溫度對粉體晶型結(jié)構(gòu)、粒徑和導(dǎo)電性能的影響,發(fā)現(xiàn)pH值為9、反應(yīng)溫度為60℃、600~700℃熱處理溫度下得到粉體的性能最佳。此溫度下制備的ATO粉體的晶型結(jié)構(gòu)較完整,粉體的電阻率為280Ω.cm,顆粒尺寸為33~34 nm。

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