編號(hào)：NMJS01739
篇名：Co-C納米復(fù)合薄膜的微結(jié)構(gòu)、磁性能和磁輸運(yùn)特性
作者：唐瑞鶴； 楊志剛； 張弛； 楊白； 劉曉芳； 于榮海；
關(guān)鍵詞： Co-C納米復(fù)合薄膜； 退火； 微結(jié)構(gòu)； 磁輸運(yùn)特性； 磁性能；
機(jī)構(gòu)： 清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系先進(jìn)材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 北京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 采用磁控濺射法在硅基片上制備了Co原子分?jǐn)?shù)為13.0%的Co-C納米復(fù)合薄膜.在真空條件下,對(duì)薄膜進(jìn)行退火處理,退火溫度從473K逐步提高至773K,保溫時(shí)間30min.形貌觀察表明,未經(jīng)退火處理的薄膜中,Co顆粒均勻分布在非晶C基體中,Co顆粒尺寸為1.5-3.0nm;673K退火后,Co顆粒尺寸增大.磁性能測(cè)試表明,未經(jīng)退火處理的薄膜磁性較弱,隨著退火溫度升高,薄膜的磁化強(qiáng)度和矯頑力均明顯增大;當(dāng)退火溫度增加至673—773K時(shí),薄膜呈現(xiàn)出低溫鐵磁性、室溫超順磁性的典型顆粒體系磁性特征.磁輸運(yùn)特性研究表明,未經(jīng)退火處理的薄膜在溫度為4.2K,磁場(chǎng)為3980kA/m時(shí)表現(xiàn)出1.33%的負(fù)磁電阻,隨著退火溫度升高,樣品磁電阻值下降;電阻與溫度關(guān)系在4.2—60K范圍內(nèi)符合lnR-T-1/4線性關(guān)系,磁輸運(yùn)遵循變程跳躍（variable range hopping）傳導(dǎo)機(jī)制. 更多還原
