編號：NMJS01382
篇名：氨化Ga_2O_3和金屬Ga�；旌湘壴粗苽涓哔|(zhì)量GaN納米線
作者：李琰; 王朋偉; 孫楊慧; 高靖云; 趙清; 俞大鵬;
關(guān)鍵詞：化學(xué)氣相沉積法; 氮化鎵; 納米線; 生長條件;
機(jī)構(gòu)： 北京大學(xué)物理學(xué)院介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)室;
摘要： 在管式爐中用化學(xué)氣相沉積(CVD)法在高溫下用金做催化劑,首次通過氨化Ga2O3和金屬Ga粒組成的混合鎵源制備出高質(zhì)量的GaN納米線。運(yùn)用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化鎵納米線的形貌、結(jié)構(gòu)以及發(fā)光性質(zhì)。最后著重探討了通過改變鎵源的構(gòu)成、氨化溫度以及鎵源和生長襯底間的距離等生長條件,研究了其對氮化鎵形貌的影響,藉以提高在管式爐中生長GaN的可控性及可重復(fù)性,為制備大量GaN納米線提供了依據(jù)。
