編號(hào)：NMJS01370
篇名：電化學(xué)法制備Ni-W-P納米線陣列電極及其催化析氫性能
作者：張衛(wèi)國(guó); 尚云鵬; 劉麗娜; 姚素薇; 王宏智;
關(guān)鍵詞：AAO模板; Ni-W-P合金; 納米線陣列; 析氫反應(yīng);
機(jī)構(gòu)： 天津大學(xué)化工學(xué)院杉杉表面技術(shù)研究室;
摘要： 采用二次氧化法制備了多孔陽(yáng)極氧化鋁(AAO)模板,通過(guò)控制電位沉積技術(shù)在AAO模板內(nèi)組裝了Ni-W-P合金納米線陣列.在掃描電子顯微鏡(SEM)下觀察到Ni-W-P納米線表面光滑,長(zhǎng)約20μm,直徑均勻(約為100nm),與AAO模板孔徑基本一致.陰極極化曲線和交流阻抗圖譜(EIS)的測(cè)試結(jié)果表明,Ni-W-P合金納米線陣列電極析氫反應(yīng)(HER)電阻減小,具有更高的催化析氫活性,電流密度為10mA·cm-2時(shí),析氫極化電位較Ni-W-P合金電極正移約250mV.
