編號：NMJS01303
篇名：錫催化生長氧化硅納米線的制備和表征
作者：倪自豐; 劉利國; 王永光;
關(guān)鍵詞：無機(jī)非金屬材料; 氧化硅納米線; 化學(xué)氣相沉積; 碳熱還原法; 光致發(fā)光;
機(jī)構(gòu)： 江南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;
摘要： 使用高純SnO_2粉和石墨粉混合物作為錫催化劑的來源,硅片作為硅的來源和產(chǎn)物生長的基底,用化學(xué)氣相沉積法在硅片上準(zhǔn)備了有序排列的氧化硅納米線組成的微米結(jié)構(gòu),用掃描電子顯微鏡(SEM)、X-射線能譜儀(EDX)、透射電子顯微鏡(TEM)和選區(qū)電子衍射譜圖(SAED)對其進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:直徑為5-15μm,長度達(dá)到50-100μm的微米結(jié)構(gòu)由緊密排列的非晶氧化硅納米線組成,氧化硅納米線的直徑為100-200nm,長度達(dá)到50-100μm。根據(jù)對其生長過程的分析,錫催化生長表現(xiàn)出不同于傳統(tǒng)的VLS機(jī)制,一顆錫催化劑液滴能同時誘導(dǎo)多根納米線的生長。根據(jù)室溫下的光致發(fā)光譜分析,非晶氧化硅納米線在395nm(3.14eV)處有一強(qiáng)峰,激發(fā)波長為260nm(4.77eV)。
