編號(hào)：NMJS01286
篇名：不同晶種上ZnO納米線的生長(zhǎng)及紫外光電導(dǎo)特性
作者：曹東; 蔣向東; 李大偉; 孫繼偉;
關(guān)鍵詞：透明導(dǎo)電膜; ZnO納米線; 溶液化學(xué)法; 紫外光電導(dǎo)特性;
機(jī)構(gòu)： 電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院;
摘要： 采用射頻磁控濺射法在石英襯底上沉積了AZO和ITO透明導(dǎo)電膜,然后采用溶液化學(xué)法以?xún)煞N導(dǎo)電膜為晶種分別生長(zhǎng)ZnO納米線。利用掃描電鏡和X射線衍射等測(cè)試手段對(duì)樣品進(jìn)行表征,進(jìn)而通過(guò)一種垂直測(cè)試結(jié)構(gòu),研究其紫外光電導(dǎo)特性的差異。結(jié)果表明:晶種對(duì)納米線的生長(zhǎng)起決定性作用,只有在結(jié)晶良好并且擇優(yōu)取向的AZO膜上才能生長(zhǎng)出垂直于襯底且取向一致的ZnO納米陣列,而在ITO膜上,ZnO納米線的取向具有很大的隨機(jī)性。AZO上垂直生長(zhǎng)的納米線紫外響應(yīng)速度較快,且呈現(xiàn)良好的歐姆接觸特性,但兩種樣品恢復(fù)時(shí)間都較長(zhǎng),分析認(rèn)為是納米線曝光面積不同和內(nèi)部的缺陷、表面態(tài)等原因造成的。
