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        單壁空位缺陷碳納米管穩(wěn)定性的分子動力學(xué)

        編號:NMJS01258

        篇名:單壁空位缺陷碳納米管穩(wěn)定性的分子動力學(xué)

        作者:張興旺; 張凱旺;

        關(guān)鍵詞:分子動力學(xué)模擬; 空位缺陷; 單壁碳納米管; 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性;

        機構(gòu): 江蘇省聯(lián)合技術(shù)學(xué)院無錫交通分院機械工程系; 湘潭大學(xué)材料與光電物理學(xué)院;

        摘要: 采用分子動力學(xué)模擬研究了單壁空位缺陷碳納米管的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,結(jié)果表明,當空位缺陷低至6.25%時,碳納米管比較穩(wěn)定;當空位缺陷在6.25%~12.50%范圍內(nèi),碳納米管不穩(wěn)定,出現(xiàn)局部熔化的現(xiàn)象;而空位缺陷大于16.67%時,碳納米管會破裂蒸發(fā)而不再存在。研究還表明,碳納米管中的空位缺陷對其結(jié)構(gòu)有著極大的影響,而且少量的空位缺陷(10%左右)就可以使碳納米管發(fā)生形變扭曲。在低于3 500 K時,空位缺陷對碳納米管結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性影響的主要因素是缺陷的多少,隨著溫度的變化并不顯著。

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