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        直接氮化法制備氮化鋁納米線

        編號:NMJS01251

        篇名:直接氮化法制備氮化鋁納米線

        作者:王穩(wěn)穩(wěn); 程仁志; 胡曉陽; 張迎九; 宋平新; 田永濤; 李新建;

        關(guān)鍵詞:氮化鋁納米線; 鋁粉; 氯化銨; 直接氮化;

        機構(gòu): 鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院材料物理教育部重點實驗室;

        摘要: 在氮、氫混合氣氣流中(氫氣10%,體積比),以鋁和氯化銨混合粉體為原料,在水平管式爐中采用直接氮化法合成了氮化鋁納米線。使用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)和透射電子顯微鏡(TEM)對納米線的形貌和結(jié)構(gòu)進行了檢測與分析;研究了鋁和氯化銨的比例(質(zhì)量比)、反應(yīng)溫度、升溫速度等因素對生成物的種類、形貌和氮化鋁納米線產(chǎn)量的影響。研究發(fā)現(xiàn),所獲得的AlN納米線為單晶六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),表面不光滑且有非晶層,而AlN納米線依照Vapor-Solid(VS,氣-固)生長機制生長。獲得了較為優(yōu)化的制備氮化鋁納米線的工藝條件,利用VS生長機制和氣相過飽和度概念對上述影響氮化鋁納米線生長的條件進行了初步的機理分析。

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