編號：NMJS01135
篇名：環(huán)境折射率變化對納米線光纖場強分布的影響
作者：周寒青; 隋成華;
關(guān)鍵詞：納米線光纖; Maxwell方程; 場強分布;
機構(gòu)： 浙江工業(yè)大學理學院;
摘要： 基于光學倏逝波的光纖或波導傳感器是目前的重要發(fā)展方向之一.從Maxwell方程出發(fā),得到由于周圍環(huán)境折射率變化而引起的光纖場強分布的變化.結(jié)果表明:納米線光纖中的光場場強分布跟環(huán)境折射率有較為敏感的關(guān)系.在相同的外界環(huán)境下,納米線光纖直徑D大的光纖纖芯內(nèi)光場能量較強,納米線光纖直徑D小的光纖纖芯內(nèi)光場能量較弱;對相同直徑D的納米線光纖,隨著外界折射率的增大,光損耗越來越強.這為納米線波導在光傳感領(lǐng)域的應(yīng)用提供了有力的證據(jù).
