編號(hào)：CPJS00855
篇名：不同極性6H-SiC表面石墨烯的制備及其電子結(jié)構(gòu)的研究
作者：康朝陽; 唐軍; 李利民; 潘海斌; 閆文盛; 徐彭壽; 韋世強(qiáng); 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛;
關(guān)鍵詞：石墨烯; 6H-SiC; 同步輻射; 電子結(jié)構(gòu);
機(jī)構(gòu)： 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
摘要： 在超高真空設(shè)備中,采用高溫退火的方法在6H-SiC兩個(gè)極性面(0001)和(0001-)面(即Si面和C面)外延石墨烯(EG).利用低能電子衍射(LEED)和同步輻射光電子能譜(SRPES)對(duì)樣品的生長過程進(jìn)行了原位研究,而后利用激光拉曼光譜(Raman)和近邊X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(XANES)等實(shí)驗(yàn)技術(shù)對(duì)制備的樣品進(jìn)行了表征.結(jié)果表明我們?cè)趦煞N極性面均制備出了質(zhì)量較好的石墨烯樣品.而有關(guān)兩種石墨烯的對(duì)比性研究發(fā)現(xiàn):Si面EG呈同一取向而C面EG呈各向異性;Si面EG與襯底存在類似于金剛石C—sp3鍵的界面相互作用,受到襯底的影響較大,而C面EG與襯底的相互作用較弱,受到襯底的影響較小.
