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        TiO_2納米孔結(jié)構(gòu)的XPS研究

        編號:NMJS01050

        篇名:TiO_2納米孔結(jié)構(gòu)的XPS研究

        作者:顧劍鋒; 聞明; 劉剛; 呂堅;

        關(guān)鍵詞:SMAT; 納米Ti; XPS逐層分析;

        機構(gòu): 上海交通大學(xué)上海市激光制造與材料改性重點實驗室; 中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家實驗室; 香港理工大學(xué);

        摘要: 采用表面機械研磨處理技術(shù)(Surface mechanical attrition treatment,SMAT)在工業(yè)純Ti的表面制備出一層厚度約30μm納米結(jié)構(gòu)表層,最表層的平均晶粒尺寸約30nm。隨后在常溫(25℃)下對其進行雙氧水及400℃煅燒處理,并采用X射線光電子能譜(XPS)等手段進行了逐層結(jié)構(gòu)分析。結(jié)果表明,SMAT Ti表面與粗晶Ti表層形成的氧化層結(jié)構(gòu)存在明顯差別。

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