編號：NMJS01017
篇名：BiI_3-nylon11納米復(fù)合材料的XPS及ATR-IR分析
作者：趙志娟; 劉芬; 趙良仲;
關(guān)鍵詞：納米復(fù)合材料; X射線光電子能譜; 衰減全反射紅外光譜;
機(jī)構(gòu)： 中國科學(xué)院化學(xué)研究所;
摘要： 用X射線光電子能譜法(XPS)測定了BiI3與nylon11作用生成納米復(fù)合材料后聚合物中酰胺基團(tuán)的N、O內(nèi)層能級電子結(jié)合能變化,同時(shí)用衰減全反射紅外光譜法(ATR-IR)研究了BiI3-nylon11復(fù)合材料中BiI3對尼龍酰胺基團(tuán)之間氫鍵作用的影響.結(jié)果表明,與純nylon11聚合物相比,BiI3-nylon11納米復(fù)合材料中N1s、O1s的結(jié)合能要稍高一些;N-H伸縮振動(dòng)、酰胺I譜帶、酰胺Ⅱ譜帶振動(dòng)頻率在X射線照射前均發(fā)生顯著位移,而X射線照射后沒有明顯的變化,只是譜帶變寬.另一方面,無論X射線照射與否,CH2伸縮振動(dòng)基本不變.實(shí)驗(yàn)所得結(jié)果對于理解聚合物中氫鍵相互作用及其對復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)和性能的影響有一定意義。
