編號(hào)：NMJS00899
篇名：形狀記憶合金表面納米管陣列的制備與表征
作者：秦銳; 丁冬雁; 寧聰琴; 劉和剛; 朱邦尚; 李明; 毛大立;
關(guān)鍵詞：形狀記憶合金; 納米管; 陽極氧化; 顯微結(jié)構(gòu); 氧化物;
機(jī)構(gòu)： 上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院微電子材料與技術(shù)研究所金屬基復(fù)合材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷和超微結(jié)構(gòu)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 上海交通大學(xué)分析測試中心;
摘要： 采用陽極氧化方法在鎳鈦形狀記憶合金表面成功制備出氧化物納米管陣列。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,陽極氧化電壓和溫度是影響納米管生長的重要因素。當(dāng)陽極氧化電壓較低時(shí),溫度效應(yīng)不大,合金表面僅形成數(shù)十納米厚的氧化物薄膜。當(dāng)陽極氧化電壓升至20V,在20℃陽極氧化可形成雙氧化物層(表面為不均勻多孔納米結(jié)構(gòu),下部為具有兩種不同直徑的納米管陣列);增大陽極氧化溫度至30℃,表面多孔納米結(jié)構(gòu)溶解,露出底部的納米管陣列;當(dāng)陽極氧化溫度增大至50℃時(shí),納米管開始出現(xiàn)破裂。納米管為Ni-Ti-O氧化物,納米管的鎳含量與鎳鈦基體相比有所降低。
