編號：NMJS00886
篇名：CdTe納米線/納米管薄膜電沉積法制備研究
作者：吳敏; 張世超; 林若虛;
關(guān)鍵詞：電沉積; CdTe; 納米線; 納米管; 鎳箔;
機構(gòu)： 北京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
摘要： 使用電沉積方法,在堿性體系中Ni箔表面制得直徑約為100 nm的CdTe納米線/納米管薄膜,并系統(tǒng)研究了電位、鍍液濃度及熱處理對于該材料微觀形貌的影響。XRD結(jié)果證明,未經(jīng)退火處理的薄膜由CdTe相和單質(zhì)Cd相組成,經(jīng)300℃N2氣氛保護條件下退火4 h后得到的薄膜僅含CdTe相,并有效提高結(jié)晶度。SEM結(jié)果顯示薄膜的微觀形貌為納米線結(jié)構(gòu),TEM結(jié)果進一步證明CdTe納米線內(nèi)部為中空結(jié)構(gòu),形成納米線/納米管結(jié)構(gòu)。另外,電沉積實驗結(jié)果表明,沉積電位對于CdTe納米線/納米管結(jié)構(gòu)的形成具有決定作用,表現(xiàn)為陰極電位越正越有利于納米線結(jié)構(gòu)的形成。
