編號(hào)：CPJS00817
篇名：羥基硅油原位改性制備疏水性沉淀二氧化硅
作者：馬志領(lǐng); 郝學(xué)輝; 何佳音; 周健;
關(guān)鍵詞：沉淀二氧化硅; 羥基硅油; 原位改性; 疏水性; 相容性;
機(jī)構(gòu)： 河北大學(xué)化學(xué)與環(huán)境科學(xué)學(xué)院;
摘要： 采用羥基硅油原位改性制備疏水性沉淀二氧化硅。紅外光譜(FT-IR)分析表明,羥基硅油通過(guò)化學(xué)鍵接枝到二氧化硅表面。掃描電鏡(SEM)分析表明,原位改性改善了沉淀二氧化硅的團(tuán)聚現(xiàn)象,使之分散性提高,與有機(jī)基體聚丙烯樹(shù)脂的相容性增大。疏水性測(cè)試表明,羥基硅油203-B和203-D的用量(羥基硅油與原料中二氧化硅的質(zhì)量比)達(dá)到17.9%時(shí),疏水度分別達(dá)到24.59%和22.17%,羥基硅油相對(duì)分子質(zhì)量越小,羥基含量越高,改性效果越明顯。原位改性使沉淀二氧化硅吸油率降低。
