編號(hào)：NMJS00798
篇名：聚吡咯/凹凸棒石納米導(dǎo)電復(fù)合材料的制備和表征
作者：李恒; 姚超; 吳鳳芹; 丁永紅; 李峰; 徐斌海;
關(guān)鍵詞：聚吡咯; 凹凸棒石; 納米復(fù)合材料; 體積電阻率;
機(jī)構(gòu)： 常州大學(xué)石油化工學(xué)院; 江蘇省凹土工程技術(shù)研究中心; 江蘇河海納米科技股份有限公司;
摘要： 通過(guò)正交實(shí)驗(yàn)確定了聚吡咯/凹凸棒石(PPy/ATP)納米導(dǎo)電復(fù)合材料的最佳制備工藝條件。結(jié)果表明:當(dāng)吡咯(Py)用量為m(Py):m(ATP)=0.32,過(guò)硫酸銨(APS)與Py的摩爾比為1.1,十二烷基磺酸鈉(DSNa)與Py的摩爾比為0.27,15℃下反應(yīng)2h得到的復(fù)合材料體積電阻率可達(dá)26Ω·cm。通過(guò)熱重-熱差分析、X射線衍射(XRD)、紅外光譜(FT-IR)、TEM對(duì)納米復(fù)合材料進(jìn)行表征。測(cè)試表明:聚吡咯/凹凸棒石納米復(fù)合材料的耐熱性能與純聚吡咯相比明顯提高,聚吡咯以非晶態(tài)形式包覆在凹凸棒石單晶的表面,它們之間沒(méi)有新鍵生成,存在的是物理作用。
