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        銀納米陣列直徑對SERS增強(qiáng)效果的影響

        編號:NMJS00780

        篇名:銀納米陣列直徑對SERS增強(qiáng)效果的影響

        作者:張君夢; 曲勝春; 張利勝; 唐愛偉; 周樹云; 王占國;

        關(guān)鍵詞:銀納米陣列; 表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS); 陽極氧化鋁模板(AAO);

        機(jī)構(gòu): 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室; 中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所光化學(xué)轉(zhuǎn)換與功能材料重點實驗室;

        摘要: 采用電化學(xué)沉積法分別在不同孔徑的陽極氧化鋁(AAO)模板上沉積一系列直徑不同,排列規(guī)則的銀納米陣列。以對氨基苯甲酸(PABA)和三聚氰胺兩種分子分別作為探針分子,研究了銀納米陣列的直徑大小對其表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)效果的影響。結(jié)果表明,在波長為514.5 nm的激光激發(fā)下,探針分子的SERS信號強(qiáng)度隨銀納米陣列直徑的改變而明顯變化,并在銀納米陣列直徑約為53 nm時,SERS強(qiáng)度達(dá)到最大。利用電磁增強(qiáng)機(jī)制對此實驗結(jié)果進(jìn)行了分析和解釋。

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