編號(hào)：CYYJ043506
篇名：氮化硼負(fù)載BT@PANI核殼粒子協(xié)同改善復(fù)合材料介電與導(dǎo)熱性能
作者：王海燕 黃齊格 咸龍帝 楊千 賈曉松 白得輝
關(guān)鍵詞： 聚合物基復(fù)合材料 氮化硼納米片 核殼粒子 介電性能 導(dǎo)熱性能
機(jī)構(gòu)： 蘭州理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 采用原位聚合法對(duì)氮化硼納米片(BNNS)進(jìn)行了聚多巴胺(PDA)的表面修飾,利用PDA的粘附性在BNNS表面負(fù)載鈦酸鋇@聚苯胺(BT@PANI)核殼粒子制備了分級(jí)結(jié)構(gòu)復(fù)合填料。結(jié)果顯示,BNNS單片的BT@PANI負(fù)載量對(duì)復(fù)合材料介電和導(dǎo)熱性能影響顯著;與BT@PANI/PVDF復(fù)合材料比較,所得復(fù)合材料的介電性能隨頻率變化的穩(wěn)定性得到明顯改善。BNNS單片BT@PANI負(fù)載量最大的復(fù)合材料界面極化最弱,介電性能表現(xiàn)出更好的頻率穩(wěn)定性,20%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的復(fù)合材料介電常數(shù)和損耗值分別是14.8和0.082(105Hz),熱導(dǎo)率降到了最低的0.64 W/mK。頻率高于103Hz,這種新型復(fù)合材料介電損耗下降幅度是介電常數(shù)的2倍以上。該工作同步實(shí)現(xiàn)了聚合物基復(fù)合材料的介電常數(shù)提高、介電損耗抑制及導(dǎo)熱性能提升,為儲(chǔ)能聚合物基復(fù)合電介質(zhì)的發(fā)展提供了新思路。
