編號：CYYJ043368
篇名：氧化石墨烯添加量對MoSe2復(fù)合rGO電極材料電化學(xué)性能的影響
作者：鄭棟浩 賀格平 彌元梅 皇甫慧君 張慧敏 李彥霞 袁蝴蝶
關(guān)鍵詞： 二硒化鉬 還原氧化石墨烯 超級電容器 電化學(xué)性能
機構(gòu)： 西安建筑科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 陜西化工研究院有限公司
摘要： 開發(fā)高性能超級電容器電極材料在促進可再生能源的有效利用上起著重要作用,本工作采用簡單一步水熱法合成超級電容器用MoSe2-還原氧化石墨烯(rGO)復(fù)合電極材料(MoSe2-rGO)。研究表明,氧化石墨烯(GO)添加量影響著復(fù)合材料的電化學(xué)性能,隨著GO添加量增加,復(fù)合材料比電容呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,GO添加量為30 mg的復(fù)合材料MoSe2-rGO-30在1 A·g-1條件下具有最佳比電容(558.2 F·g-1),在功率密度為990 W·kg-1時能量密度高達84.4 Wh·kg-1。反應(yīng)動力學(xué)揭示出擴散電容主導(dǎo)MoSe2-rGO的電化學(xué)儲能過程。Randles-Sevcik方程計算的MoSe2-rGO-30離子擴散系數(shù)是純MoSe2離子擴散系數(shù)的6.2倍。MoSe2與高導(dǎo)電性rGO的協(xié)同作用賦予MoSe2-rGO復(fù)合材料優(yōu)異的電化學(xué)性能,表明MoSe2-rGO復(fù)合材料具有作為高性能超級電容器電極材料的潛力。
