編號(hào)：CYYJ043321
篇名：二維金屬與CrCl3接觸的界面性質(zhì)
作者：施永飛 胡艷梅 胡小會(huì)
關(guān)鍵詞： 二維材料 界面 肖特基勢(shì)壘 電學(xué)性質(zhì)
機(jī)構(gòu)： 中國船舶集團(tuán)有限公司第八研究院 南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 為了調(diào)控金屬與CrCl3界面處的勢(shì)壘,提出二維金屬M(fèi)X2(M=V,Nb;X=S,Se,Te)作為電極與CrCl3形成范德華接觸的方法.采用密度泛函理論研究CrCl3/MX2接觸界面的電學(xué)性質(zhì).結(jié)果表明:CrCl3/VS2、CrCl3/VSe2和CrCl3/NbTe2形成n型肖特基接觸,其n型肖特基勢(shì)壘值分別為0.49、0.15和0.14 eV;CrCl3/NbS2和CrCl3/NbSe2形成p型肖特基接觸,其p型肖特基勢(shì)壘值分別為0.49和0.65 eV;CrCl3/VTe2形成歐姆接觸.CrCl3/MX2界面處可忽略的金屬誘導(dǎo)間隙態(tài)和較小的界面偶極表明,CrCl3/MX2中存在較弱的費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng),從而使肖特基勢(shì)壘高度可以在較大范圍可調(diào).因此,通過選擇不同功函數(shù)的二維金屬電極,在CrCl3/MX2接觸結(jié)構(gòu)中能夠?qū)崿F(xiàn)接觸類型和肖特基勢(shì)壘高度的調(diào)控.研究結(jié)果有助于理解不同二維金屬電極對(duì)CrCl3/MX2接觸的勢(shì)壘調(diào)控.
