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        氧化錳-氧化鉿雙層結(jié)構(gòu)阻變存儲器交叉陣列的研究

        編號:CYYJ043166

        篇名:氧化錳-氧化鉿雙層結(jié)構(gòu)阻變存儲器交叉陣列的研究

        作者:胡全麗 羅涵瓊 蘇旺

        關(guān)鍵詞: 氧化錳 氧化鉿 阻變存儲器 交叉陣列

        機構(gòu): 內(nèi)蒙古民族大學納米創(chuàng)新研究院

        摘要: 組建了具有5×5交叉陣列結(jié)構(gòu)的Ag/MnO/HfO2/Pt阻變存儲器,研究了MnO和HfO2雙層結(jié)構(gòu)的電阻轉(zhuǎn)變特性。器件表現(xiàn)出高開關(guān)比、低操作電壓和無電初始化等穩(wěn)定的雙極性電阻轉(zhuǎn)變特性。電阻轉(zhuǎn)變機制主要為歐姆傳導和肖特基發(fā)射機制。證明了具有5×5交叉陣列結(jié)構(gòu)的Ag/MnO/HfO2/Pt器件有望成為一種有潛力的阻變存儲器候選體系。

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