編號(hào)：FTJS106561
篇名：釕表面上錫及其氧化污染物的原位清洗研究
作者：彭怡超 葉宗標(biāo) 王思蜀 蒲國(guó) 韋建軍 芶富均
關(guān)鍵詞： 錫及其氧化污染物 氫等離子體 釕 原位清洗
機(jī)構(gòu)： 四川大學(xué)原子核科學(xué)技術(shù)研究所 四川大學(xué)原子與分子物理研究所
摘要： 本文介紹了在多層反射鏡釕表面原位清洗錫及其氧化污染物的實(shí)驗(yàn)研究.實(shí)驗(yàn)通過物理氣相沉積(PVD)方法制備顆粒狀和薄膜狀錫及其氧化污染物,并采用朗繆爾探針和減速場(chǎng)離子能量分析儀(RFEA)對(duì)不同功率的氫等離子體進(jìn)行了系統(tǒng)分析.對(duì)比顆粒狀和薄膜狀錫及其氧化污染物的清洗速率后發(fā)現(xiàn),顆粒狀污染物頂部的清洗速率最高,其平均清洗速率次之,而薄膜狀污染物的清洗速率最低.XPS結(jié)果表明經(jīng)過低功率(1 W)等離子體清洗后,錫氧鍵斷裂并發(fā)生了化學(xué)還原過程.掃描電鏡截面圖像顯示低功率清洗后底部的薄膜厚度增加,指明清洗過程中的再沉積現(xiàn)象.TRIM模擬說明高功率(10 W)下氫注入深度超過釕膜厚度,而低功率(1 W)下氫注入深度小于釕膜厚度.釕膜的粗糙度在1 W照射10 h后仍保持穩(wěn)定.在化學(xué)還原和刻蝕過程中,氫離子和氫自由基分別起到斷裂化學(xué)鍵和反應(yīng)物的作用.根據(jù)上述結(jié)果推斷,低功率(1 W)氫等離子體可實(shí)現(xiàn)對(duì)錫及其氧化污染物的無損原位清洗。
