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        軋制鉭靶材與粉末冶金鉭靶材晶粒晶向?qū)Ρ?/h1>

        編號(hào):CYYJ04115

        篇名:軋制鉭靶材與粉末冶金鉭靶材晶粒晶向?qū)Ρ?/p>

        作者:周友平 姚力軍 廖培君 吳東青 陳石

        關(guān)鍵詞: 鉭靶材 軋制 粉末冶金 晶向 先進(jìn)制程

        機(jī)構(gòu): 寧波江豐電子材料股份有限公司

        摘要: 鉭靶材被廣泛地作為集成電路銅互連工藝擴(kuò)散阻擋層的濺射源,是芯片制造中的關(guān)鍵耗材,鉭靶材的性能直接影響薄膜質(zhì)量。目前鉭靶材主要有鑄錠軋制和粉末冶金燒結(jié)兩種制備方法,兩種工藝路線所得靶材差異明顯。根據(jù)濺射靶材一般性能要求,文章研究對(duì)比了軋制鉭靶材與粉末冶金鉭靶材坯料的斷面晶向和晶粒。結(jié)果顯示,粉末冶金鉭靶材晶向更均勻,晶粒更細(xì)小,這種表現(xiàn)更有利于鉭靶材的濺射性能,也更有利于濺射薄膜的均勻性。在未來(lái)先進(jìn)制程集成電路的制備工藝中,粉末冶金鉭靶材可能會(huì)得到重要應(yīng)用。

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