編號：FTJS10403
篇名：電子級多晶硅原料中痕量硼磷雜質(zhì)的脫除研究進(jìn)展
作者：閆可欣 姜洪濤 高維群 郭曉暉 孫偉振 趙玲
關(guān)鍵詞： 硼磷雜質(zhì) 吸附 蒸餾 反應(yīng)精餾 三氯氫硅 氫
機(jī)構(gòu)： 華東理工大學(xué)化學(xué)工程聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司
摘要： 三氯氫硅和氫氣中痕量硼磷雜質(zhì)的含量是影響多晶硅品質(zhì)的主要因素。提高硼磷雜質(zhì)的脫除效率有利于電子級多晶硅的大規(guī)模生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)我國能源信息產(chǎn)業(yè)升級。綜述了三氯氫硅和氫氣中硼磷雜質(zhì)脫除方法的研究進(jìn)展,重點(diǎn)介紹了各類提純方法的特點(diǎn)。其中,反應(yīng)-吸附-精餾耦合技術(shù)集合了精餾法和化學(xué)提純法的優(yōu)點(diǎn),是三氯氫硅精制過程中最具有發(fā)展前景的方法;吸附法憑借其負(fù)載的活性物質(zhì)對硼磷雜質(zhì)的高選擇性,成為氫氣精制最常使用的工藝。最后,系統(tǒng)探討了吸附劑結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及與吸附性能的構(gòu)效關(guān)系,在此基礎(chǔ)上總結(jié)并展望了多晶硅原料中硼磷雜質(zhì)脫除面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展方向。
